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STD4LN80K5

功能描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? K5

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：3.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：122pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：1

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