STD4LN80K5

功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? K5

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):122pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):60W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 1A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:1

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